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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evidence of electric field-tunable tunneling probability in graphene and metal contact 期刊论文 Nanoscale, 2017 作者:  Shi JY(史敬元);  Yu GH(于广辉);  Peng SA(彭松昂);  Jin Z(金智);  Zhang DY(张大勇) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/15 The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity 期刊论文 Carbon, 2015 作者:  Chen ZY(陈志颖);  Zhang YH(张艳慧);  Ye TC(叶甜春);  Liu XY(刘新宇);  Wang XY(王选芸) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/05/26 Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device 外文期刊 2010 作者:  Han, K;  Wang, WW;  Ma, XL;  Chen, DP;  Zhang, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/26 Work Function  Gate   Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: 3,152907-1-052907-3 作者:  Chen, SJ;  Zhang, J;  Wang, XL;  Han, K;  Wang, WW 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Schottky Barriers  Surface States  Gap States