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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018 作者:  Liu HG(刘洪刚);  Jie Sun;  Zhang GB(张国斌);  Zhao M(赵妙);  Chunli Yan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/19 A Single Event Upset Tolerant Latch Design 会议论文 作者:  Haibin Wang;  Xixi Dai;  Yangsheng Wang;  Issam Nofal;  Li Cai 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/13 Characteristics of Single Event Upsets induced by Heavy Ions in 28nm UTBB-FDSOI SRAM with Several Types of Radiation Harden Bit-cells 会议论文 作者:  Bo Mei;  Qingkui Yu;  Yong Ge;  Yi Sun;  Hongwei Zhang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/10 High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications 会议论文 作者:  Sun B(孙兵);  Xia QZ(夏庆贞);  Huang KL(黄凯亮);  Chang HD(常虎东);  Wang SK(王盛凯) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20 Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric 期刊论文 Chin. Phys. Lett., 2017 作者:  Liu HG(刘洪刚);  Wang SK(王盛凯);  Ma L(马磊);  Chang HD(常虎东);  Sun B(孙兵) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/15 AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文 Chinese Physics B, 2015 作者:  Ma XH(马晓华);  Zheng YK(郑英奎);  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/10/28