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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2018 作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Zhang D(张丹);  Luo X(罗雪) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/05 TiSixGey  Ge PAI  Si Ge   Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/05 On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春);  Chen DP(陈大鹏) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/06/08 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Eddy Simoen;  Wang GL(王桂磊);  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09