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Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well 会议论文
作者:  Bo Mei;  Wang L(王磊);  Qingxuan Li;  Ningyang Liu;  Ligang Song
收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2019/05/10
Impact of BEOL Film Deposition on Poly-Si 3D NAND Device Characteristics 会议论文
作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Jin L(靳磊);  Hua ZQ(华子群);  Li Y(李远);  Hu XL(胡小龙)
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/05/16
AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation 期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:  Ma XH(马晓华);  Zheng YK(郑英奎);  Pang L(庞磊);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2016/10/28
An Investigation of Capacitance-Voltage Hysteresis in Al2O3/SiC MIS Capacitors 期刊论文
Materials Science Forum, 2015
作者:  Shen HJ(申华军);  Wang YY(王弋宇);  Wang XL(王晓磊);  Wu J(吴佳);  Li CZ(李诚瞻)
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/05/26
 一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法 专利
专利号: CN201010575278.3, 申请日期: 2013-12-25, 公开日期: 2012-07-11
作者:  蒲颜;  陈晓娟;  刘新宇;  李艳奎;  欧阳思华
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/10/12
基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计 期刊论文
电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 3,1794-1796
作者:  陈中子;  曾轩;  陈晓娟;  刘果果;  袁婷婷
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/05/27
8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 4,1445-1448
作者:  曾轩;  陈晓娟;  刘果果;  袁婷婷;  陈中子
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/05/27
碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 4,1066-1069
作者:  庞磊;  李诚瞻;  王冬冬;  黄俊;  曾轩
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/05/27
掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 5
作者:  刘果果;  和致经;  姚小江;  刘丹;  陈晓娟
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/05/26
等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaNHEMT栅电流的机理 期刊论文
半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 5,1777_1781
作者:  刘新宇;  李诚瞻;  庞磊;  黄俊;  刘键
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/05/26


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