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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-temperature study of neutral and charged excitons in the large-area monolayer WS2 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Liu, Xinke;  Gu, Hong;  Chen, Le;  Lu, Youming;  Tian, Feifei(田飞飞) 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2019/03/27 Molecular gated-AlGaN/GaN high electron mobility transistor for pH detection 期刊论文 ANALYST, 2018 作者:  Wu, Baojun(吴保军);  Gu, Zhiqi;  Gu, Le;  Miao, Bin(苗斌);  Yang, Shuai(杨帅) 收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2019/03/27 Performance Improvement of GaN-Based Violet Laser Diodes 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Zhao, De-Gang;  Jiang, De-Sheng;  Le, Ling-Cong;  Yang, Jing;  Chen, Ping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/05 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4 作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文 VACUUM, 2016, 卷号: 129 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文 IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Li, XJ;  Zhao, DG;  Jiang, D;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/11