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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis and Modeling of Thermal-Electric Coupling Effect of High-Power Monolithically Integrated Light-Emitting Diode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Huang, Hongjuan(黄宏娟);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Yibin(张亦斌);  Ding, Mingdi(丁明迪) 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/03/27 Highly Efficient Mass Production of Boron Nitride Nanosheets via a Borate Nitridation Method 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2018 作者:  Li, Taotao;  Yao, Yagang(姚亚刚);  Liu, Zheng;  Suenaga, Kazu;  Zhang, Yong-Wei 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/03/27 Terahertz and far-infrared windows opened at Dome A in Antarctica 期刊论文 NATURE ASTRONOMY, 2017 作者:  Shi, Sheng-Cai;  Paine, Scott;  Yao, Qi-Jun;  Lin, Zhen-Hui;  Li, Xin-Xing（李欣幸） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/06 Growth Model of van der Waals Epitaxy of Films: A Case of AlN Films on Multilayer Graphene/SiC 期刊论文 ACS Applied Materials and Interfaces, 2017 作者:  Xu, Yu(徐俞);  Cao, Bing;  Li, Zongyao;  Cai, Demin;  Zhang, Yumin 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/02/05 Evolution of threading dislocations in GaN epitaxial laterally overgrown on GaN templates using self-organized graphene as a nano-mask 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Xu, Yu（徐俞）;  Cao, Bing;  He, Shunyu;  Qi, Lin;  Li, Zongyao 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/05 Fabrication of Large-Area Suspended MEMS Structures Using GaN-on-Si Platform 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 1045-1047 作者:  Zhang BS(张宝顺);  Lin WK (林文魁);  Cai Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：225/63  |  提交时间：2010/01/15 Accelerometer  gallium nitride (GaN)  microelectromechanical system (MEMS)  piezosensitivity  sensor