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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种高灵敏度的新型微波探测器 专利 申请日期: 2018-11-09, 作者:  方彬,曾中明,张宝顺 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2019/04/01 Ultrahigh detection sensitivity exceeding 10(5) V/W in spin-torque diode 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Cai, Jialin;  Zeng, Zhongming(曾中明);  Finocchio, Giovanni;  Amiri, Pedram Khalili;  Garesci, Francesca 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/27 Ferromagnetic resonance manipulation by electric fields in Ni81Fe19/Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 multiferroic heterostructures 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Zeng, Zhongming(曾中明);  Li, Gang;  Fang, Bin(方彬);  Xiong, Rongxin(熊荣欣);  Zhang, Wanli 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/03/27 Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Fang, Bin(方彬);  Zhang, Like;  Zeng, Zhongming(曾中明);  Cai, Jialin(蔡佳林) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/27 Weak-field precession of nano-pillar spin-torque oscillators using MgO-based perpendicular magnetic tunnel junction 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2018 作者:  Zeng, Zhongming(曾中明);  Wang, Bochong;  Fang, Bin(方彬);  Zhang, Changxin(张昌新) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/27 Multilevel storage device based on domain-wall motion in a magnetic tunnel junction 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Cai, Jialin;  Fang, Bin（方彬);  Wang, Chao;  Zeng, Zhongming（曾中明）;  Ceng ZM(曾中明) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/02/05 磁性随机存储器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103280234B, 申请日期: 2016-06-29, 作者:  曾中明;  方彬;  张宝顺 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2017/03/13 Zero-field spin transfer oscillators based on magnetic tunnel junction having perpendicular polarizer and planar free layer 期刊论文 AIP Advances, 2016 作者:  Fang, Bin(方彬);  Feng, Jiafeng;  Gan, Huadong;  Malmhall, Roger;  Huai, Yiming 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Giant spin-torque diode sensitivity in the absence of bias magnetic field 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 卷号: 7 作者:  Fang, B(方彬);  Carpentieri, M;  Hao, XJ;  Jiang, HW;  Katine, JA 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2017/03/11 Engineering of forming-free resistive switching characteristics in ZrO2 films 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 22, 页码: 6 作者:  Du, G(杜刚);  Li, T(李涛);  Wang, C(王超);  Fang, B(方彬);  Zhang, BS(张宝顺) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/12/31 resistive random access memory (RRAM)  forming-free  oxygen vacancy  thermal annealing