QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究 期刊论文 半导体学报, 1989 陶江; 赵铁民; 张国炳; 王阳元; 汪锁发; 李永洪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 TiSi_2  MOSFET  多晶硅  自对准技术  MOS电容  临界值  栅氧化层