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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Kang XJ; Lin SM; Liao QW; Gao JH; Liu SA; Cheng P; Wang HJ; Zhang CH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 photodetector  oxidation  materials growth   Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Cheng P; Ma XY; Gao JH; Kang XJ; Cao Q; Wang HJ; Luo LP; Zhang CH; Lu XL; Lin SM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/10/29 semiconductor lasers  oxidation