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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6 作者:  Yin, Ya-nan;  Liu, Jie;  Liu, Tian-qi;  Ye, Bing;  Ji, Qing-gang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/01/19 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Retention errors  Single event upset