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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of growth temperature of GaAs Sb 1− metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 118102 作者:  Jing Zhang;  Hong-Liang Lv;  Hai-Qiao Ni;  Shi-Zheng Yang;  Xiao-Ran Cui;  Zhi-Chuan Niu;  Yi-Men Zhang and Yu-Ming Zhang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/07/30 The study on fabrication and characterization of Al 0.2 In 0.8 Sb/InAs 0.4 Sb 0.6 heterostructures by molecular beam epitaxy 期刊论文 IEEE Access, 2019, 卷号: 7, 页码: 102710-102716 作者:  Jing Zhang;  Hongliang Lv;  Yifeng Song;  Haiqiao Ni;  Zhichuan Niu;  Yuming Zhang;   Senior Member, IEEE 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/07/30 Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028101 作者:  Jing Zhang ;   Hongliang Lv ;   Haiqiao Ni ;   Shizheng Yang ;   Xiaoran Cui ;   Zhichuan Niu ;   Yimen Zhang ;   Yuming Zhang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/07/30