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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dry Chemistry of Ferrate(VI): A Solvent-Free Mechanochemical Way for Versatile Green Oxidation 期刊论文 Angewandte Chemie International Edition, 2018, 卷号: 57, 期号: 34, 页码: 10949-10953 作者:  Zhao-Yang Zhang;   Deyang Ji;   Wenting Mao;   Yu Cui;   Qing Wang;   Lu Han;   Hongliang Zhong;   Zhongming Wei;   Yixin Zhao;   Kasper Nørgaard;   Tao Li 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/11/12 Simulation and fabrication of N-polar GaN-based blue-green light- emitting diodes with p-type AlGaN electron blocking layer 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9321-9325 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Ye Yu;  Long Yan;  Pengchong Li;  Xu Han;  Liang Chen;  Degang Zhao;  Guotong Du 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Study on the structural, optical, and electrical properties of the yellow light-emitting diode grown on free-standing (0001) GaN substrate 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2018, 卷号: 116, 页码: 1-8 作者:  Gaoqiang Deng ;   Yuantao Zhang ;   Ye Yu ;   Long Yan ;   Pengchong Li ;   Xu Han ;   Liang Chen ;   Degang Zhao ;   Guotong Du 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/19 Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 7756-7762 作者:  Xu Han;   Yuantao Zhang;   Pengchong Li ;   Long Yan ;   Gaoqiang Deng ;   Liang Chen ;   Ye Yu ;   Degang Zhao ;   Jingzhi Yin 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/19 Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiN x interlayer 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 122, 页码: 74-79 作者:  Gaoqiang Deng ;   Yuantao Zhang ;   Ye Yu ;   Zhen Huang ;   Xu Han ;   Liang Chen ;   Long Yan ;   Pengchong Li ;   Xin Dong ;   Degang Zhao ;   Guotong Du 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/19 Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 151607 作者:  Gaoqiang Deng;   Yuantao Zhang;   Ye Yu;   Long Yan;   Pengchong Li;   Xu Han;   Liang Chen;   Degang Zhao;   Guotong Du 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19