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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Cao RR(曹荣荣);  Wang Y(王艳);  Zhao SJ(赵盛杰);  Yang Y(杨阳);  Zhao XL(赵晓龙) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/10 Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Wang Y(王艳);  Hu Y(胡媛);  Cao RR(曹荣荣);  Shi T(时拓);  Liu Q(刘琦) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/04/10 Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects 期刊论文 Advanced Materials, 2018 作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Zhang XM(张续猛) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/04/10 An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Zhang XM(张续猛);  Wang W(王伟);  Liu Q(刘琦);  Zhao XL(赵晓龙);  Wei JS(魏劲松) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/10