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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved thermal and electrical properties of Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 37 作者:  Wang, GX;  Shen, X;  Nie, QH;  Wang, RP;  Wu, LC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 Te-based chalcogenide films with high thermal stability for phase change memory 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 9 作者:  Wang, GX;  Shen, X;  Nie, QH;  Chen, F;  Wang, XS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/18 Effect of SnI2 on the thermal and optical properties of Ge-Se-Te glasses 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 4 作者:  Wang, GX;  Nie, QH;  Shen, X;  Wang, XS;  Chen, F 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18 Different strain relief behaviors in Al0.35Ga0.65N/GaN multiple quantum wells on GaN/Sapphire templates with AlN/GaN supperlattices and low-temperature AlN interlayers 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 1 作者:  Huang, CC;  Xu, FJ;  Song, J;  Xu, ZY;  Wang, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/18 Phase change and optical band gap behavior of Ge-Te-Ga thin films prepared by thermal evaporation 期刊论文 VACUUM, 2012, 卷号: 86, 期号: 10 作者:  Wang, GX;  Nie, QH;  Shen, X;  Chen, F;  Li, J 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18