×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安光学精密机械研... [32]
内容类型
专利 [31]
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2001 [1]
1995 [1]
1994 [2]
1992 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共32条，第1-10条
帮助
限定条件
专题：西安光学精密机械研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Research on the correlation between the optical gap and chemical bond in sulphur and selenium co-doped chalco-halide glasses
期刊论文
spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2010, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 1275-1279
作者:
Zhu, Mingxing
;
Nie, Qiuhua
;
Wang, Xunsi
;
Dai, Shixun
;
Zhang, Xianghua
收藏
|
浏览/下载：253/51
|
提交时间：2011/07/08
Chalco-halide glasses
Optical gap
IR spectra
InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers
专利
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:
SPINELLI, LUIS A.
;
ZHOU, HAILONG
;
AUSTIN, R. RUSSEL
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2019/12/26
Light emitting semiconductor device and method for fabricating same
专利
专利号: US20010038103A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
作者:
NITTA, KOICHI
;
OKAZAKI, HARUHIKO
;
MATSUNAGA, TOKUHIKO
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2019/12/30
結晶成長方法
专利
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者:
大川 和宏
;
三露 常男
;
山崎 攻
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2020/01/18
低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法
专利
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:
伊藤 直行
;
下林 隆
;
水本 照之
;
岡本 則久
收藏
|
浏览/下载：7/0
|
提交时间：2019/12/24
Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode
专利
专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
作者:
HAYASHI, SHIGEO
;
OKAWA, KAZUHIRO
;
MITSUYU, TSUNEO
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2019/12/26
A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice
专利
专利号: EP0319207B1, 申请日期: 1992-07-29, 公开日期: 1992-07-29
作者:
MURAKAMI, TAKASHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
OTAKI, KANAME C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
KUMABE, HISAO C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
收藏
|
浏览/下载：8/0
|
提交时间：2019/12/24
Semiconductor crystal growing method
专利
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者:
HORIE KAYOKO
;
OTSUKA TAKEO
;
AKIYAMA NAOKI
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2019/12/31
Semiconductor device having a disordered superlattice
专利
专利号: US5031185, 申请日期: 1991-07-09, 公开日期: 1991-07-09
作者:
MURAKAMI, TAKASHI
;
OTAKI, KANAME
;
KUMABE, HISAO
收藏
|
浏览/下载：12/0
|
提交时间：2019/12/26
Method for making low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays
专利
专利号: US5028563, 申请日期: 1991-07-02, 公开日期: 1991-07-02
作者:
FEIT, ZEEV
;
KOSTYK, DOUGLAS
;
WOODS, ROBERT J.
收藏
|
浏览/下载：9/0
|
提交时间：2019/12/24
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
