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| 基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110391583A, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
作者: 张多多; 刘小峰; 邱建荣
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| 一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110350389A, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
作者: 张多多; 刘小峰; 邱建荣
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| 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 张鹏 ; 许聪基; 赖铭智
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| 脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法 专利
专利号: CN106505408B, 申请日期: 2019-02-15, 公开日期: 2019-02-15
作者: 王瑾; 郑新和; 刘三姐; 侯彩霞; 何荧峰
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| 一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
作者: 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹
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| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利
专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江
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| 一种高损伤阈值激光窗口材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102557430, 申请日期: 2014-04-23, 公开日期: 2012-07-11
彭波; 陆敏; 侯超奇; 王鹏飞; 李玮楠; 韦玮; 高飞; 付丽丽
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| 一种提高半导体激光器寿命方法 专利
专利号: CN102882120A, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
作者: 李再金; 李特; 芦鹏; 王勇; 乔忠良
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| 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利号: CN101820134A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
作者: 胡理科; 熊聪; 祁琼; 王冠; 马骁宇
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| 一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片 专利
专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
作者: 邓昀; 曲轶; 张晶; 乔忠良; 李辉
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