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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 2061-2066 作者:  Li P;  Tang HJ;  Li T;  Li X;  Shao XM 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/11/20 SOLAR-CELLS  LIFETIME  SILICON  INGAAS   Limits to Model Amphoteric Defect Recombination Via SRH Statistics 期刊论文 Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science, 2012, 卷号: 209, 期号: 2, 页码: 390-400 - 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/11/05 amorphous silicon  amphoteric defects  Shockley-Read-Hall  solar cells   Microstructure Evolution with Thickness and Hydrogen Dilution Profile in Microcrystalline Silicon Solar Cells 会议论文 Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology held at the 2004 MRS Spring Meeting - 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/11/05