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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/08/22 Gan/algan  Icp刻蚀  器件制备  量子效率   Cl2 / Ar/ BCl3 ICP 刻蚀AlGaN 的研究 期刊论文 微纳电子技术, 2007, 卷号: z1, 期号: 7/8 作者:  陈亮;  亢勇;  朱龙源;  赵德刚;  李向阳 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/10/09 GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  亢勇 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2012/07/11 Gan基阵列紫外探测器  器件制备  Icp干法刻蚀  结电容频率特性  内量子效率