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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measuring Interlayer Shear Stress in Bilayer Graphene 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2017, 卷号: 119, 期号: 3, 页码: 036101(7) 作者:  Guorui Wang;  Zhaohe Dai;  Yanlei Wang;  PingHeng Tan;  Luqi Liu 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/06/15 Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms 期刊论文 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134 Yang, JL; Gaspar, J; Paul, O 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  fracture  pooled Weibull analysis  silicon nitride (Si3N4)  silicon oxide (SiO2)   Thermal stress analysis for gainasp multiple quantum well wafer chemically bonded to si (100) 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: 8 作者:  Zhao, Hong-Quan;  Yu, Li-Juan;  Huang, Yong-Zhen 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION