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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation 期刊论文 AIP Advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 12 Suyuan Wang; Jun Zheng; Chunlai Xue; Chuanbo Li; Yuhua Zuo; Buwen Cheng; Qiming Wang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/03/22 Electroluminescence from nano-crystalline si/sio2 structures embedded in pn junctions 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 作者:  Chen, D. Y.;  Wang, X.;  Wei, D. Y.;  Wang, T.;  Xu, J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Pecvd  Electroluminescence  P-i-n structures   Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 PECVD   MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  Surface morphology  Morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION