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半导体研究所 [32]
内容类型
期刊论文 [27]
会议论文 [5]
发表日期
2010 [4]
2008 [5]
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专题:半导体研究所
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Room-temperature ferromagnetism in co-doped in2o3 nanocrystals
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 41, 页码: 17569-17573
作者:
Meng, Xiuqing
;
Tang, Liming
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Ferromagnetic modification of gan film by cu+ ions implantation
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:
Zhang, B.
;
Chen, C. C.
;
Yang, C.
;
Wang, J. Z.
;
Shi, L. Q.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Nonmagnetic element doped semiconductor
Cu ion implantation
Gan-based dms
Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped In2O3 Nanocrystals
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 41, 页码: 17569-17573
Meng XQ (Meng Xiuqing)
;
Tang LM (Tang Liming)
;
Li JB (Li Jingbo)
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/11/02
THIN-FILMS
QUANTUM DOTS
AB-INITIO
INDIUM
ZNO
SEMICONDUCTORS
ACTIVATION
OXIDATION
ELECTRON
ENERGY
Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:101/5
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提交时间:2010/04/22
Nonmagnetic element doped semiconductor
Cu ion implantation
GaN-based DMS
PIXE ANALYSIS
DOPED ZNO
MN
CR
Cathodoluminescence study of gan-based film structures
期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: S58-s63
作者:
Jiang, D. S.
;
Jahn, U.
;
Chen, J.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, S. M.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in inn films
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 5
作者:
Wang, H.
;
Jiang, D. S.
;
Wang, L. L.
;
Sun, X.
;
Liu, W. B.
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/08
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Sun, G (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Liu, X (Liu, Xingfang)
;
Zhao, Y (Zhao, Yongmei)
;
Li, J (Li, Jiaye)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Zhao, W (Zhao, Wanshun)
;
Wang, L (Wang, Liang)
收藏
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浏览/下载:87/29
  |  
提交时间:2010/03/29
polycrystalline 3C-SiC
resonator
doping
SILICON-CARBIDE
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