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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   An Ameliorated Phase Generated Carrier Demodulation Algorithm With Low Harmonic Distortion and High Stability 期刊论文 journal of lightwave technology, 2010, 卷号: 28, 期号: 22, 页码: 3258-3265 He J (He Jun); Wang L (Wang Lin); Li F (Li Fang); Liu YL (Liu Yuliang) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/12/12 Phase generated carrier (PGC)  fiber-optic interferometer  fiber-optic sensor  harmonic distortion  stability  light intensity disturbance (LID)   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device