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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Highly nonlinear property and threshold voltage of Sc2O3 doped ZnO-Bi2O3-based varistor ceramics 期刊论文 journal of rare earths, 2013, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 158-163 Xu Dong; Wu Jieting; Jiao Lei; Xu Hongxing; Zhang Peimei; Yu Renhong; Cheng Xiaonong 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/22 Microstructure and electrical properties of Y(NO3)3·6H2O-doped ZnO-Bi2O3-based varistor ceramics 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 38, 页码: 9312-9317 Xu, Dong; Cheng, Xiaonong; Yuan, Hongming; Yang, Juan; Lin, Yuanhua 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/06/14 Ceramic materials  Degradation  Microstructure  Rare earth alloys  Rare earths  Varistors  Zinc oxide   Growth and characterization of semi-insulating gan films grown by mocvd 期刊论文 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 14-18 作者:  Fang, CB;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd  Gan  Resistivity  Tsc   Study on surface morphology of gan growth by mocvd on gan/si(111) template 期刊论文 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 11-13 作者:  Liu, Z;  Wang, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Guo, LC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface morphology  Gan/si template  Gan  Mocvd   Growth of high quality semi-insulating inp single crystal by suppression of compensation defects 期刊论文 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 75-77 作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Yang, ZX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Defect  Semi-insualting   Optical and micro-structural properties of zno thin films grown on silicon substrate by pulsed laser deposition 期刊论文 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 26-28 作者:  He, JT;  Zhuang, HZ;  Xue, CS;  Tian, DS;  Wu, YX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Pld  Zno  Substrate temperature  Oxygen pressure   Growth of zno single crystal by chemical vapor transport method 期刊论文 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 4-7 作者:  Zhou, JM;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Duan, ML;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide  Chemical vapor transport  Single crystal growth   Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template 会议论文 3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005 Liu, Z; Wang, JX; Wang, XL; Hu, GX; Guo, LC; Liu, HX; Li, JP; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：222/40  |  提交时间：2010/03/29 surface morphology   Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 会议论文 3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005 Zhao, YW; Dong, ZY; Duan, ML; Sun, WR; Yang, ZX 收藏  |  浏览/下载：202/19  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE