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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [2]
2005 [2]
1997 [2]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体器件 [1]
半导体物理 [1]
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专题:半导体研究所
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Short period inas/gasb superlattice infrared detector on gaas substrates
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+
作者:
Guo Jie
;
Peng Zhen-Yu
;
Lu Zheng-Xiong
;
Sun Wei-Guo
;
Hao Rui-Ting
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Superlattice
Inas/gasb infrared detector
Molecular-beam epitaxy (mbe)
Spectral response
SHORT PERIOD InAs/GaSb SUPERLATTICE INFRARED DETECTOR ON GaAs SUBSTRATES
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+
作者:
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/03/08
superlattice
InAs/GaSb infrared detector
molecular-beam epitaxy (MBE)
spectral response
Structural characterization of zn3n2 nanowires prepared by nitridation technique
期刊论文
Materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 21, 页码: 2643-2646
作者:
Zong, FJ
;
Ma, HL
;
Ma, J
;
Xue, CS
;
Zhang, XJ
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Nitridation method
Zn3n2
Nanowires
Structural characterization
Nano-structures and properties of zinc nitride prepared by nitridation technique
期刊论文
Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 3787-3790
作者:
Zong, FJ
;
Ma, HL
;
Xue, CS
;
Zhuang, HZ
;
Zhang, XJ
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Nitridation method
Zn3n2
Nanowires
Structural characterization
Electron diffraction and photoemission studies of clean and water-covered Si(5,5,12) and Si(112) surfaces
期刊论文
surface review and letters, 1997, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 15-23
Ranke W
;
Xing YR
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
MILLER INDEX SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
ADSORPTION
SILICON
H2O
LEED
SI
MODEL
GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Hou X
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
molecular beam epitaxy
InGaAs/InP
optical properties
QUANTUM-WELL STRUCTURES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
MODULATION
EXCITONS
LASERS
SHIFT
CERIUM SILICIDE FORMATION IN THIN CE SI MULTILAYER FILMS
期刊论文
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 998-1001
HSU CC
;
HO J
;
QIAN JJ
;
WANG YT
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE
SI(111)
LA
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