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基于TDLAS技术的有机物气体分子检测研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  高慧
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/22
AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
潘旭
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2012/06/05
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者:  王兵;  李志聪;  梁萌
收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2011/08/16
低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12, 2010-10-15
彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石 岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/08/12
金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:  段瑞飞
收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/08/12
MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者:  杨少延;  魏鸿源;  焦春美
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  刘斌;  陈涌海
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:  王保柱
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 16-20
作者:  刘磊;  刘磊;  刘磊;  刘磊;  汪宇
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN基垂直腔面发射激光器的研制 期刊论文
厦门大学学报. 自然科学版, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 617-619
张保平; 蔡丽娥; 张江勇; 李水清; 尚景智; 王笃祥; 林峰; 林科闯; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/11/23

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