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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响 期刊论文 2016, 卷号: 44, 页码: 1445-1449 作者:  谷文萍;  张林;  杨鑫;  全思;  徐小波 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固 AlGaN/GaN HEMT proton-irradiation irradiation induced acceptor defects radiation hardness   CMOS集成电路的抗辐射设计 期刊论文 2003, 卷号: 20, 页码: 68-70 作者:  张小平;  雷天民;  杨松;  陈仁生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 CMOS集成电路  抗辐射加固  总剂量效应  单粒子效应   CMOS集成电路的抗辐射分析及设计 学位论文 : 西安理工大学, 2003 作者:  张小平 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 CMOS集成电路  抗辐射加固  单粒子翻转效应  单粒子闩锁效应  电离总剂量效应