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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Voltage Depletion-Mode Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors Gated by Ba0.4Sr0.6TiO3 Dielectric 期刊论文 中国物理快报：英文版, 2010, 卷号: 第27卷 第7期, 页码: 285-287 作者:  Wang LP(王丽萍);  Lu AX(陆爱霞);  Dou W(窦威);  Wan Q(万青) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/05 薄膜晶体管  铟锡氧化物  低电压  门电路  漏电流密度  BST薄膜  介电  消耗   Low-Voltage Depletion-Mode Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors Gated by Ba0.4Sr0.6TiO3 Dielectric 期刊论文 Chinese physics letters, 2010, 卷号: Vol.27 No.7, 页码: 078502 作者:  Wang, LP;  Lu, AX;  Dou, W;  Wan, Q 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/13 The Recessed Trapezoidal Groove Dual‐Gate AlGaN/GaN E‐Mode Transistor by Using Depletion Enhancement Effect 会议论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018 作者:  Ling Yang;  Minhan Mi;  Bin Hou;  Jiejie Zhu;  Meng Zhang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/25 depletion  enhancement  effect  E‐mode  AlGaN/GaN  HEMT  recessed  trapezoidal  groove  dual‐gate  profile