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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海应用物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Ar+ ion post-irradiation on crystal structure, magnetic behavior and optical band gap of Co-implanted ZnO wafers 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2016, 卷号: 248, 页码: 65-67 作者:  Xu, NN;  Li, GP;  Lin, QL;  Liu, H;  Bao, LM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/02 ZnO  Co implantation  Ar post-irradiation  M-S  Band gap   Magnetic properties of permanent magnet for cryogenic undulator of permanent Shanghai synchrotron radiation facility 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 4 He Yong-Zhou; Zhou Qiao-Gen 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/06/13