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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GSMBE growth and characterizations of AlInP/InGaAsP strain-compensated multiple-layer heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 255-262 Huang, ZC; Wu, HZ; Lao, YF; Cao, M; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  GAS-SOURCE MBE  MISFIT DISLOCATIONS  LASERS  INP  DEFECTS