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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of device-grade silicon-on-insulator material from appropriate matches of low oxygen implantation dose and acceleration energy 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2003, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2001-2010 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Yi, WB; Liu, XH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 OXIDATION ITOX PROCESS  BURIED OXIDE LAYERS  SIMOX WAFERS  ION-IMPLANTATION  TEMPERATURE  SEPARATION   Increased thickness of buried oxide layer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2002, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 1570-1573 Chen, J; Chen, M; Dong, YM; Wang, X; Zheng, ZH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  HIGH-TEMPERATURE  DIFFUSION  HYDROGEN  MECHANISM  OXIDATION  SIMOX  SIO2   Effect of implantation energy on the microstructure evolution of low dose separation of implanted oxygen wafers 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2001, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 337-343 Chen, M; Chen, J; Zheng, W; Li, L; Mu, HC; Lin, ZX; Yu, YH; Wang, X; Wang, GY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  LAYER FORMATION  SIMOX  SILICON