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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of the LiAlH4-NaBH4 System for Reversible Hydrogen Storage 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2009, 卷号: 113, 期号: 24, 页码: 10813-10818 Mao, JF; Yu, XB; Guo, ZP; Poh, CK; Liu, HK; Wu, Z; Ni, J 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/11/04 THERMAL-DECOMPOSITION  ALUMINUM HYDRIDES  LIBH4  ALLOY   The synthesis and fabrication of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes suspended across wide trenches for infrared detecting application 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 55501-55501 Rao, FB; Liu, X; Li, T; Zhou, YX; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/12/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TRANSISTORS  GROWTH  PHOTOCONDUCTIVITY  SENSOR  SAPPHIRE  CIRCUITS  CONTACTS  HYDROGEN  ARRAYS   Electromigration in Al interconnects and the challenges in ultra-deep submicron technology 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5424-5434 Zhang, WJ(张文杰）; Yi, WB（易万兵）; Wu, J（吴瑾） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  TRANSPORT MECHANISMS  DUAL-DAMASCENE  ALUMINUM FILMS  TEXTURE  GROWTH  GRAIN  TI  RELIABILITY  UNDERLAYER   Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 15-19 Lin, CT; Yu, GH; Lei, BL; Wang, XZ; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  GROWTH  DEPOSITION  MORPHOLOGY  EVOLUTION  SAPPHIRE   Compositional and morphological study of reactive ion beam deposited AlN thin films 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2000, 卷号: 169, 页码: 94-97 Cheng, LL; Yu, YH; Sundaravel, B; Luo, EZ; Lin, S; Lei, YM; Ren, CX; Cheung, WY; Wong, SP; Xu, JB; Wilson, IH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY  ALUMINUM NITRIDE  GROWTH  AIN