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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Hu HY(呼红阳);  Zhang HH(张浩浩);  Li J(李金);  Ji LL(季兰龙) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/11 Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application 外文期刊 2008 作者:  Liu, Q;  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, M;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26