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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文 作者:  陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20 Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching 会议论文 作者:  Wei K(魏珂);  Zheng YK(郑英奎) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20 The fabrication and dry etching of poly-Si/TaN/Mo gate stack in the metal inserted poly-Si stacks Structure 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2011 作者:  Li YL(李永亮) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/16