|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种激光加工晶圆的控制方法及系统 专利
专利号: CN201710574394.5, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2017-10-10
作者: 张紫辰 ; 侯煜; 刘嵩
  收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/03/12 |
| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者: 洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法 专利
专利号: CN201310438771.4, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2015-03-25
作者: 李俊杰; 李春龙; 李俊峰; 王文武; 洪培真
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者: 杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 一种沟道替换工艺的监测方法 专利
专利号: CN201410409029.5, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 崔虎山; 卢一泓; 赵超; 李俊峰; 杨涛
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者: 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/03/12 |
| III族氮化物低损伤刻蚀方法 专利
专利号: CN201510868081.1, 申请日期: 2018-05-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 魏珂; 刘新宇; 黄森; 王鑫华
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 激光退火装置及方法 专利
专利号: CN201611110318.0, 申请日期: 2018-04-27, 公开日期: 2017-02-15
作者: 张紫辰; 王晓峰; 潘岭峰
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/03/12 |
| 一种半导体器件的掺杂方法 专利
专利号: CN201410105802.9, 申请日期: 2018-04-06, 公开日期: 2015-09-23
作者: 李俊峰; 张琦辉; 蒋浩杰; 张浩; 刘青
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210435410.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-05-14
作者: 尹海洲; 殷华湘; 秦长亮
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/03/14 |
