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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种组合等离子体放电装置 专利 专利号: CN201515547U, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2010-06-23, 2010-11-26 作者:  赵玲利;  王守国;  张朝前;  杨景华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 专利 专利号: CN200710064858.4, 公开日期: 2008-10-01 作者:  李多力;  海潮和;  韩郑生;  周小茵;  赵立新 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26