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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种刻蚀方法 专利 专利号: CN201510996470.2, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2016-05-25 作者:  李俊杰;  李俊峰;  杨清华;  刘金彪;  贺晓彬 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/03/19 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201410459780.6, 申请日期: 2014-09-11, 作者:  殷华湘;  马小龙;  张严波;  朱慧珑 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/03/26 控制背孔剖面形状的方法 专利 专利号: CN201010520271.1, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2012-05-16 作者:  魏珂;  刘新宇;  刘果果;  黄俊 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2014/10/31 氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法 专利 申请日期: 2012-07-29, 作者:  孟令款 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/04/10 氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 专利 申请日期: 2012-07-02, 作者:  孟令款 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/13