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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7 作者:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/12/12 total ionizing dose effects  deep sub-micron  metal oxide semiconductor field effect transistor  static random access memory   国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1257-1261 作者:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  兰博 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/11/29 总剂量辐照效应  退火效应  可靠性   国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389 作者:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线   国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008 作者:  王改丽 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/13 PDSOI  SIMOX  总剂量辐射  辐射效应  背沟漏电