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Bottom-Gate Approach for All Basic Logic Gates Implementation by a Single-Type IGZO-Based MOS Transistor with Reduced Footprint 期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2020, 卷号: 7, 期号: 6
作者:  Qi, Shaocheng;  Cunha, Joao;  Guo, Tian-Long;  Chen, Peiqin;  Zaccaria, Remo Proietti
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/12/16
有机和杂化阻变材料与器件 期刊论文
功能高分子学报, 2019, 卷号: 32, 期号: 04, 页码: 434-447
作者:  陈威林;  高双;  伊晓辉;  尚杰;  刘钢
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/18
Polymer memristor for information storage and neuromorphic applications 期刊论文
MATERIALS HORIZONS, 2014, 卷号: 1, 期号: 5, 页码: 489
Chen, Yu; Liu, Gang; Wang, Cheng; Zhang, Wenbin; Li, Run-Wei; Wang, Luxing
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/09/20
Encapsulate-and-peel: fabricating carbon nanotube CMOS integrated circuits in a flexible ultra-thin plastic film 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2014, 卷号: 25, 期号: 6
Gao, Pingqi; Zhang, Qing
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/09/20
WC-Co涂层中Cu和MoS2的添加对其高温摩擦性能的影响 期刊论文
材料导报, 2012, 期号: 8, 页码: 9—12
袁建辉
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/12/16
Resistive switching effects in oxide sandwiched structures 期刊论文
Front. Mater. Sci., 2012, 卷号: 14, 页码: 1—24
Li RW(李润伟); Xiao-Jian ZHU1,2, Jie SHANG1,2, and Run-Wei LI (✉)1,2
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/12/16
一种电流振荡器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2013-12-16
李润伟; 苏文静; 诸葛飞; 朱小健
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/12/16
Integrations and challenges of novel high-k gate stacks in advanced CMOS technology 期刊论文
2011
He G; Zhu LQ; Sun ZQ; Wan Q; Zhang LD
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/07/26
integrations and challenges of novel high-k gate stacks in advanced cmos technology 期刊论文
2011
He G; Zhu LQ; Sun ZQ; Wan Q; Zhang LD
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/05/10
氧化石墨烯电阻型存储材料的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
何聪丽
收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/07/21

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