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长春光学精密机械与... [12]
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期刊论文 [12]
发表日期
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2007 [2]
2006 [2]
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专题:长春光学精密机械与物理研究所
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Morphology and carrier mobility of high-B-content BxAl1xN ternary alloys from an ab initio global search
期刊论文
Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 31, 页码: 11335-11342
作者:
Z. Qi
;
Z. Shi
;
H. Zang
;
X. Ma
;
Y. Yang
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提交时间:2023/06/14
Giant moire trapping of excitons in twisted hBN
期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 10596-10604
作者:
Y. S. Li
;
X. H. Xie
;
H. Zeng
;
B. H. Li
;
Z. Z. Zhang
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提交时间:2023/06/14
Effects of interlayer coupling on the excitons and electronic structures of WS2/hBN/MoS2 van der Waals heterostructures
期刊论文
Nano Research, 2022, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 2674-2681
作者:
X. Zhu
;
J. He
;
R. Zhang
;
C. Cong
;
Y. Zheng
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提交时间:2023/06/14
Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 797, 页码: 262-268
作者:
Y.X.Chen
;
K.L.Li
;
Z.W.Li
;
S.Q.Hu
;
X.J.Sun
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提交时间:2020/08/24
Boron nitride,Thermal conductivity,Raman spectroscopy,graphene,conductivity,deposition,nanosheets
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
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提交时间:2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
Two-dimensional multibit optoelectronic memory with broadband spectrum distinction
期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 8
作者:
Xiang, D.
;
Liu, T.
;
Xu, J. L.
;
Tan, J. Y.
;
Hu, Z. H.
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提交时间:2019/09/17
plasmonic color filters
p-n-junctions
image sensor
monolayer mos2
boron-nitride
graphene
electronics
transistors
devices
chip
Science & Technology - Other Topics
Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
black phosphorus
mos2
wse2
inverters
graphene
diodes
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Sub-stoichiometric WO2.9 for formaldehyde sensing and treatment: a first-principles study
期刊论文
Journal of Materials Chemistry A, 2016, 卷号: 4, 期号: 37
作者:
Wang, D. D.
;
D. X. Han
;
L. Liu and L. Niu
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/09/11
Phonon characteristics and photoluminescence of bamboo structured silicon-doped boron nitride multiwall nanotubes
期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1
Xu S. F.
;
Fan Y.
;
Luo J. S.
;
Zhang L. G.
;
Wang W. Q.
;
Yao B.
;
An L. N.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/10/21
Synthesis, conductivity and high-pressure phase transition of amorphous boron carbon nitride
期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2007, 卷号: 396, 期号: 1—2, 页码: 214-219
Bai S. Z.
;
Yao B.
;
Xing G. Z.
;
Zhang K.
;
Su W. H.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/10/21
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