×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
苏州纳米技术与纳米... [83]
内容类型
期刊论文 [83]
发表日期
2018 [1]
2016 [17]
2015 [15]
2014 [15]
2013 [11]
2012 [9]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共83条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
收藏
  |  
浏览/下载:87/0
  |  
提交时间:2019/03/27
A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11
作者:
Hu, WW
;
Zhang, SM(张书明)
;
Ikeda, M
;
Chen, YG
;
Liu, JP(刘建平)
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Green laser diodes with low operation voltage obtained by suppressing carbon impurity in AlGaN: Mg cladding layer
期刊论文
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2016
作者:
Tian, Aiqin(田爱琴)
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Zhang, Liqun(张立群)
;
Ikeda, Masao
;
Zhang, Shuming(张书明)
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Performance and retention characteristics of nanocrystalline Si floating gate memory with an Al2O3 tunnel layer fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 7
作者:
Ma, ZY
;
Wang, W
;
Yang, HF
;
Jiang, XF
;
Yu, J
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Li, SM(李水明)
;
Zhou, Y(周宇)
;
Gao, HW(高宏伟)
;
Dai, SJ(戴淑君)
;
Yu, GH(于国浩)
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Shi, YJ
;
Huang, S
;
Bao, QL
;
Wang, XH
;
Wei, K
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Correlation of the pi-conjugation chain length and the property and photovoltaic performance of benzo[1,2-b:4,5-b ']dithiophene-cored A-pi-D-pi-A type molecules
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2016, 卷号: 157
作者:
Wang, LL(王立磊)
;
Zhang, Y
;
Yin, N
;
Lin, Y
;
Gao, W(高威)
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2017/03/11
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace