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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk 期刊论文 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8 作者:  Wu, H;  Ji, L;  Harasawa, R;  Yasue, Y;  Aritake, T 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/11 Generation of In-Plane Light Beam with Orbital Angular Momentum with an Asymmetrical Plasmonic Waveguide 期刊论文 PLASMONICS, 2016, 卷号: 11, 期号: 5 作者:  Liu, WW(柳婉婉);  Hu, X(胡鑫);  Jin, L(靳琳);  Fu, XX;  Chen, Q(陈沁) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Picosecond spin relaxation in low-temperature-grown GaAs 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 12 作者:  Lu, SL (陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/02/03 ELECTRONS  RADIATION  BAND   Observations of exciton and carrier spin relaxation in Be doped p-type GaAs 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 11 作者:  Lu, SL (陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/02/03 POLARIZATION  ELECTRONS  EPITAXY   Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlOx/CoFeB magnetic tunnel junctions 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 26 作者:  Xu, K (徐科) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/08/24 TEMPERATURE  GA1-XMNXAS  TRANSPORT  EPILAYERS  (GA  MN)AS  FILMS   Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10 作者:  Lu SL(陆书龙);  Lu SL(陆书龙);  Dong JR(董建荣);  Bian LF(边历峰) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/01/15