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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  He, W;  Lu, SL(陆书龙);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219 作者:  Zeng, CH(曾春红);  Zhang, BS(张宝顺);  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/13 AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device   Au–Cu2S heterodimer formation via oxidization of AuCu alloy nanoparticles and in situ formed copper thiolate 期刊论文 J. Mater. Chem., 2012, 卷号: 22, 期号: 43, 页码: 23169-23174 作者:  Jiang Jiang（姜江）;  Jiang Jiang（姜江） 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/01/25