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苏州纳米技术与纳米仿... [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2015 [1]
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2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Interlocked CNT networks with high damping and storage modulus
期刊论文
CARBON, 2015, 卷号: 86, 页码: 8
作者:
Liu, QL
;
Li, M
;
Gu, YZ
;
Wang, SK
;
Zhang, YY(张永毅)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/31
The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 卷号: 597, 期号: 0, 页码: 45-49
作者:
Yang H(杨辉)
;
Dong JR(董建荣)
;
Zhao YM(赵勇明)
;
Yu SZ(于淑珍)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/12/08
Semiconductor
Tilt
Anisotropy
Dislocations
X-ray diffraction
Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 288, 期号: 0, 页码: 482-487
作者:
Yang, H(杨辉)
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Yu, SZ(于淑珍)
;
Dong, JR(董建荣)
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/01/13
Metamorphic buffer
Strain relaxation
Si doping
Dislocation multiplication
Phase separation
Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267
作者:
Li, KL
;
Sun, YR
;
Dong, JR(董建荣)
;
Zhao, YM
;
Yu, SZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/01/13
Stresses
X-ray diffraction
Metal-organic chemical vapor deposition
Semiconductor III-V materials
Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101
作者:
S.Z. Yu(于淑珍)
;
Y.M. Zhao(赵勇明)
;
H. Yang(杨辉)
;
J.R. Dong(董建荣)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/01/16
X-ray diffraction
Stresses
Metalorganic chemical vapor deposition
Semiconductor III–V materials
Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 22
作者:
Fan, YM (樊英民)
;
Yang, H (杨辉)
;
Huang, J (黄俊)
;
Gong, XJ (弓晓晶)
;
Xu, K (徐科)
收藏
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2012/08/24
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