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Reply to "Comment on 'Comparative study of ab initio nonradiative recombination rate calculations under different formalisms'" 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2018
作者:  Xu, Ke(徐科);  Shi, Lin(石林);  Wang, Lin-Wang
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/27
Comparative study of ab initio nonradiative recombination rate calculations under different formalisms 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2015, 卷号: 91, 期号: 20, 页码: 12
作者:  Shi, L(石林);  Xu, K(徐科);  Wang, LW
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31
High-Rate, Ultra long Cycle-Life Lithium/Sulfur Batteries Enabled by Nitrogen-Doped Graphene 期刊论文
NANO LETTERS, 2014, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 4821-4827
作者:  Li WF(李宛飞)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/12/02
Amorphous thermal stability of Al-doped Sb2Te3 films for phase-change memory application 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 18
作者:  Cheng, GS*(程国胜);  Kong, T(孔涛);  Shi, L(石林)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/01/03
Bi doping modulating structure and phase-change properties of GeTe nanowires 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 6
作者:  Shi, L(石林);  Cheng, GS(程国胜);  Kong, T(孔涛)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/01/08
Ab initio Calculations of Deep-Level Carrier Nonradiative Recombination Rates in Bulk Semiconductors 期刊论文
Physical Review Letters, 2012, 卷号: 109, 期号: 24
作者:  Lin Shi(石林)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/01/22
Influence of the electronic states anisotropy on the band gap pressure coefficient of InxGa1-xN alloys 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11
作者:  Yang H (杨辉);  Xu K (徐科);  Shi L (石林)
收藏  |  浏览/下载：200/61  |  提交时间：2011/03/14

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