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金属研究所 [32]
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专题:金属研究所
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Laminated three-dimensional carbon nanotube integrated circuits
期刊论文
NANOSCALE, 2022, 页码: 6
作者:
Jian, Yang
;
Sun, Yun
;
Feng, Shun
;
Zang, Chao
;
Li, Bo
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/07/01
High-Purity Monochiral Carbon Nanotubes with a 1.2 nm Diameter for High-Performance Field-Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, 页码: 8
作者:
Li, Yahui
;
Zheng, Miaomiao
;
Yao, Jian
;
Gong, Wenbin
;
Li, Yijun
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/11/22
field-effect transistors
carbon nanotubes
conjugated polymers
monochiral
Introducing Electrode Contact by Controlled Micro-Alloying in Few-Layered GaTe Field Effect Transistors
期刊论文
CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 9
作者:
Xia, Xiuxin
;
Sun, Xingdan
;
Wang, Hanwen
;
Li, Xiaoxi
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2021/02/02
contact
alloying
GaTe
Pd electrode
Introducing Electrode Contact by Controlled Micro-Alloying in Few-Layered GaTe Field Effect Transistors
期刊论文
CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 9
作者:
Xia, Xiuxin
;
Sun, Xingdan
;
Wang, Hanwen
;
Li, Xiaoxi
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/02/02
contact
alloying
GaTe
Pd electrode
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Reliable Nonvolatile Memory Black Phosphorus Ferroelectric Field-Effect Transistors with van der Waals Buffer
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 45, 页码: 42358-42364
作者:
Yan, Shili
;
Huang, Hai
;
Xie, Zhijian
;
Ye, Guojun
;
Li, Xiao-Xi
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/02/02
black phosphorus
P(VDF-TrFE)
nonvolatile ferroelectric memories
field-effect transistors (FETs)
anti-hysteresis
Dual-Additive Assisted Chemical Vapor Deposition for the Growth of Mn-Doped 2D MoS2 with Tunable Electronic Properties
期刊论文
SMALL, 2019, 页码: 9
作者:
Cai, Zhengyang
;
Shen, Tianze
;
Zhu, Qi
;
Feng, Simin
;
Yu, Qiangmin
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/02/02
doping
dual-additive chemical vapor deposition
electronic properties
field effect transistors
hydrogen evolution reaction
MoS2
A Double Support Layer for Facile Clean Transfer of Two-Dimensional Materials for High-Performance Electronic and Optoelectronic Devices
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 5513-5522
作者:
Zhang, Dingdong
;
Du, Jinhong
;
Hong, Yi-Lun
;
Zhang, Weimin
;
Wang, Xiao
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/02/02
rosin
graphene
2D materials
clean transfer
optoelectronic devices
Controlled Vapor Solid Deposition of Millimeter-Size Single Crystal 2D Bi2O2Se for High-Performance Phototransistors
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 9
作者:
Khan, Usman
;
Luo, Yuting
;
Tang, Lei
;
Teng, Changjiu
;
Liu, Jiaman
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/02/02
Bi2O2Se
contact resistance
detectivity
millimeter-size single crystal
phototransistor
responsivity
vapor-solid deposition
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