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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟 期刊论文 固体电子学研究与进展/Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics, 2006, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 134-138 作者:  陈新安;  黄庆安;  刘肃;  李伟华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 硅-硅直接键合  本征氧化物  界面氧化层模型  杂质分布  Diffusion coefficient  Impurity distribution  Impurity segregation coefficient  Interfacial layer  Interfacial oxide  Microelectromechanical system  Model of interfacial oxide  Native oxide  Silicon direct bonding