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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films 期刊论文 应用物理杂志, 2006 Gao, Min; Bradley, S. T.; Cao, Yu; Jena, D.; Lin, Y.; Ringel, S. A.; Hwang, J.; Schaff, W. J.; Brillson, L. J. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/12 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AL(X)GA1-XN ALLOYS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  PHASE-SEPARATION  INGAN ALLOYS  SUPERLATTICES  GROWTH  LAYERS  TERNARY   Heteroepitaxial growth of LaAlO3 films on Si (100) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2004 Xiang, WF; Lu, HB; Chen, ZH; Lu, XB; He, M; Tian, H; Zhou, YL; Li, CR; Ma, XL 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 annealing  reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  epitaxial growth  laser molecular beam epitaxy  LaAlO3 film  THIN-FILMS  BUFFER LAYERS  IN-SITU  SRTIO3  SI(100)  DEPOSITION  SILICON  MOCVD   ION-INDUCED CRYSTALLIZATION AND AMORPHIZATION AT CRYSTAL/AMORPHOUS INTERFACES OF SILICON 期刊论文 nuclear instruments methods in physics research section b beam interactions with materials and atoms, 1995 WANG, ZL; ITOH, N; MATSUNAMI, N; ZHAO, QT 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/12 INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION  GROWTH  IRRADIATION  MODEL  DYNAMICS  REGROWTH  DAMAGE