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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strained Ge0.96Sn0.04 P-Channel MOSFETs with In Situ Low Temperature Si2H6 Surface Passivation 会议论文 Singapore, SINGAPORE, JUN 02-04, 2014 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Han, Genquan[1];  Wang, Hongjuan[1] 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/28 Strained Ge0.96Sn0.04 P-channel MOSFETs with in situ low temperature Si2H6 surface passivation 会议论文 Singapore, Singapore, June 2, 2014 - June 4, 2014 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Han, Genquan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/29 Undoped Ge0.92Sn0.08 Quantum Well PMOSFETs on (001), (011) and (111) Substrates with In Situ Si2H6 Passivation: High Hole Mobility and Dependence of Performance on Orientation 会议论文 Honolulu, HI, JUN 09-12, 2014 作者:  Liu, Mingshan[1,2];  Han, Genquan[1,2];  Liu, Yan[2];  Zhang, Chunfu[1];  Wang, Hongjuan[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/30 Measurement research for pitting potential of aluminium alloy with chromate passivation layers 会议论文 Tunghai Univ, Taichung, TAIWAN, NOV 08-11, 2016 作者:  Su, Z. H.[1];  Dai, Y.[2];  Ma, Q. Y.[2];  Wang, J. N.[1];  Zheng, C. Q.[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/30 Undoped Ge0.92Sn0.08 quantum well PMOSFETs on (001), (011) and (111) substrates with in situ Si2H6 passivation: High hole mobility and dependence of performance on orientation 会议论文 Honolulu, HI, United states, June 9, 2014 - June 12, 2014 作者:  Liu, Mingshan[1,2];  Han, Genquan[1,2];  Liu, Yan[2];  Zhang, Chunfu[1];  Wang, Hongjuan[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30