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微电子研究所 [6]
内容类型
外文期刊 [6]
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2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2002 [1]
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内容类型:外文期刊
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200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography
外文期刊
2008
作者:
Xu, JB
;
Zhang, HY
;
Wang, WX
;
Liu, L
;
Li, M
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/26
Lmds
Deposition of SiOx films with a capacitively-coupled plasma at atmospheric pressure
外文期刊
2007
作者:
Xu, XY
;
Li, L
;
Wang, SG
;
Zhao, LL
;
Ye, TC
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Chemical-vapor-deposition
Silicon Dioxide Films
Discharge
Jet
Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension
外文期刊
2006
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Qian, H
;
Liu, HH
;
Li, HO
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
外文期刊
2006
作者:
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Qi, XY
;
Xu, QX
;
Li, HO
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Mobility Enhancement
Layer Superlattices
Elastic Relaxation
Specimens
SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications
外文期刊
2006
作者:
Yang, R
;
Qian, H
;
Li, JF
;
Xu, QX
;
Hai, CH
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Rf-cmos
Silicon
Ghz
Damascene W/TiN gate MOSFETs with improved performance for 0.1-mu m regime
外文期刊
2002
作者:
Li, RZ
;
Xu, QX
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/26
Metal Gate
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