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科研机构
微电子研究所 [4]
内容类型
外文期刊 [4]
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2010 [1]
2008 [2]
2007 [1]
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内容类型:外文期刊
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A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
外文期刊
2010
作者:
Luo, WJ
;
Liu, XY
;
Zheng, YK
;
Liu, GG
;
Zhang, H
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, Y
;
Cheng, W
;
Liu, X
;
Xu, A
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Liu, X
;
Prost, W
;
Tegude, FJ
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
Graded-base
Sinx Passivation
Npn
Modeling of retention characteristics for metal and semiconductor nanocrystal memories
外文期刊
2007
作者:
Guan, WH
;
Long, SB
;
Liu, M
;
Liu, Q
;
Hu, Y
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Electronic-properties
Tunnel Barrier
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